電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、 概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、 測(cè)試原理
采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成，平板電容器一般用來夾持被測(cè)樣品，園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí)，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
三、儀器的技術(shù)指標(biāo)
1．Q值測(cè)量范圍：2～1023
2．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔；
3．電感測(cè)量范圍：自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能4.5nH-100mH 分別有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九個(gè)電感組成。
4．電容直接測(cè)量范圍：1～460pF
5．主電容調(diào)節(jié)范圍： 30～500pF
6．電容準(zhǔn)確度 150pF以下±1.5pF；150pF以上±1% 7．信號(hào)源頻率覆蓋范圍10KHz-70MHz （雙頻對(duì)向搜索 確保頻率不被外界干擾）另有GDAT-C 頻率范圍10KHz-70MHz及200KHZ-160M
8、型號(hào)頻率指示誤差：1*10-6 ±1
Q值合格指示預(yù)置功能范圍：5～1000
Q值自動(dòng)鎖定，無需人工搜索
9．Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃
b．相對(duì)濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
10．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
11．產(chǎn)品配置：
a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái)；
b.電感一套；
c.夾具一 套
四、性能特點(diǎn)：
1. 平板電容器
極片尺寸：φ25.4mm\φ50mm
極片間距可調(diào)范圍和分辨率：≥10mm，±0.01mm
2. 園筒電容器
電容量線性：0.33pF / mm±0.05 pF
長度可調(diào)范圍和分辨率：≥0～20mm，±0.01mm
3. 夾具插頭間距：25mm±1mm
4. 夾角損耗角正切值：≤4×10－4（1MHz時(shí)）
5、數(shù)顯電極
五. 維修保養(yǎng)
本測(cè)試裝置是由精密機(jī)械構(gòu)件組成的測(cè)微設(shè)備，所以在使用和保存時(shí)要避免振動(dòng)和碰撞，要求在不含腐蝕氣體和干燥的環(huán)境中使用和保存，不能自行拆裝，否則其工作性能就不能保證，如測(cè)試夾具受到碰撞，或者作為定期檢查，要檢測(cè)以下幾個(gè)指標(biāo)：
1. 平板電容器二極片平行度不超過0.02mm。
2. 園筒電容器的軸和軸同心度誤差不超過0.1mm。
3. 保證二個(gè)測(cè)微桿0.01mm分辨率。
4. 用精密電容測(cè)量儀（±0.01pF分辨率）測(cè)量園筒電容器，電容呈線性率，從0~20mm，每隔1mm測(cè)試一點(diǎn)，要求符合工作特性要求。
附表一,介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表
BH916測(cè)試裝置 GDAT高頻Q表
平板電容極片 Φ50mm/Φ25.4mm 可選頻率范圍10KHz-70MHz
間距可調(diào)范圍≥15mm 頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字
夾具插頭間距25mm±0.01mm 主電容調(diào)節(jié)范圍30-500/18-220pF
測(cè)微桿分辨率0.001mm 主調(diào)電容誤差<1%或1pF
夾具損耗角正切值≦4×10-4 （1MHz) Q測(cè)試范圍2～1023
附表二 電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)
